SI2302-HXY
华轩阳
SOT-23
¥0.0311
449,905
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):2.8A,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@4.5V,2.8A
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SI2302-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

3000+:¥0.0311

1+:¥0.0392

2982

24+
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SI2302-HXY
Huaxuanyang(华轩阳)
SOT-23

3000+:¥0.03234

1+:¥0.04077

2979

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SI2302-HXY
HXY(华轩阳)
SOT-23

50000+:¥0.0343

30000+:¥0.0352

10000+:¥0.0367

5000+:¥0.0382

500+:¥0.0413

50+:¥0.0459

3000

-
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SI2302-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

99000+:¥0.0343

51000+:¥0.0365

9000+:¥0.0406

3000+:¥0.0477

1000+:¥0.0624

100+:¥0.0773

435000

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SI2302-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

100+:¥0.0381

1+:¥0.0392

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SI2302-HXY
HXY(华轩阳)

1500+:¥0.0671

560+:¥0.0894

2982

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3天-15天
SI2302-HXY
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
SOT-23

2500+:¥0.032

1000+:¥0.0325

500+:¥0.0384

300+:¥0.0425

100+:¥0.0465

50+:¥0.05

186

2424+
1工作日
SI2302-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

60000+:¥0.0343

45000+:¥0.0347

3000+:¥0.0348

1500+:¥0.0439

200+:¥0.0702

1+:¥0.2106

3426

24+
2-5工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 2.8A
导通电阻(RDS(on)) 55mΩ@4.5V,2.8A