SI2301CDS-T1-GE3-ES
ElecSuper(静芯)
SOT-23
¥0.047
88,281
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):2A,导通电阻(RDS(on)):82mΩ@4.5V
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SI2301CDS-T1-GE3-ES
ElecSuper(静芯微)
SOT-23

3000+:¥0.047

1+:¥0.0592

5419

24+
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SI2301CDS-T1-GE3-ES
Elecsuper(静芯)
SOT-23

3000+:¥0.04888

1+:¥0.06157

5413

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SI2301CDS-T1-GE3-ES
ElecSuper(静芯)
SOT-23

9000+:¥0.0521

6000+:¥0.0546

3000+:¥0.0592

300+:¥0.0702

100+:¥0.0798

10+:¥0.0972

71380

-
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SI2301CDS-T1-GE3-ES
ElecSuper(静芯微)

3000+:¥0.0846

1500+:¥0.0888

360+:¥0.1421

5419

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3天-15天
SI2301CDS-T1-GE3-ES
ElecSuper(静芯微)

60000+:¥0.0523

45000+:¥0.0528

3000+:¥0.0532

1500+:¥0.067

200+:¥0.1071

1+:¥0.3214

5471

24+
2-5工作日
SI2301CDS-T1-GE3-ES
ElecSuper/湖南静芯微

9000+:¥0.0552

6000+:¥0.0565

3000+:¥0.0575

300+:¥0.064

100+:¥0.073

10+:¥0.09

9000

2421+
1工作日
SI2301CDS-T1-GE3-ES
ElecSuper/湖南静芯微

3000+:¥0.0552

3000

25+
3-4周

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 2A
导通电阻(RDS(on)) 82mΩ@4.5V