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SI2301CDS-T1-E3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2301CDS-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.8151 500+:￥0.9783 150+:￥1.1703 50+:￥1.3242 5+:￥1.6833 |
4595 |
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立即发货
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立创商城
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SI2301CDS-T1-E3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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2000+:￥0.8387 1000+:￥0.8612 500+:￥0.8986 100+:￥0.9735 30+:￥1.011 1+:￥1.0484 |
1800 |
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立即发货
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华秋商城
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SI2301CDS-T1-E3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥0.9226 6000+:￥0.996 3000+:￥1.0484 800+:￥1.1366 100+:￥1.6238 20+:￥2.6427 |
1800 |
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油柑网
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SI2301CDS-T1-E3
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Vishay Intertechnology
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SOT-23-3，TO-236
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3000+:￥0.7736 1000+:￥0.9285 500+:￥0.9633 100+:￥1.0577 30+:￥1.108 10+:￥1.2624 1+:￥1.5078 |
1882 |
2444+
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1工作日
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云汉芯城
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SI2301CDS-T1-E3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3，TO-236
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200+:￥1.2995 120+:￥1.4986 40+:￥1.656 |
12862 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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SI2301CDS-T1-E3
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VISHAY
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SOT-23
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1000+:￥0.6566 100+:￥0.735 1+:￥0.8134 |
0 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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SI2301CDS-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23(SOT-23-3)
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100+:￥1.263 30+:￥1.263 10+:￥1.418 1+:￥1.78 |
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20+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 112 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 405 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 860mW（Ta），1.6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |