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SI2301BDS-T1-E3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SI2301BDS-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3(TO-236)
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100+:￥0.86 30+:￥1.04 10+:￥1.07 1+:￥1.22 |
3766 |
20+/21+
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在芯间
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SI2301BDS-T1-E3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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2000+:￥1.048 1000+:￥1.0736 500+:￥1.1163 100+:￥1.2017 30+:￥1.2444 1+:￥1.2871 |
795 |
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华秋商城
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SI2301BDS-T1-E3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3，TO-236
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175+:￥1.541 105+:￥1.77 35+:￥1.944 |
5632 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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SI2301BDS-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.565 1+:￥0.608 |
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圣禾堂
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SI2301BDS-T1-E3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥0.6215 6000+:￥0.671 3000+:￥0.7063 800+:￥0.9888 200+:￥1.4126 10+:￥2.299 |
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油柑网
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SI2301BDS-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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2000+:￥1.2681 1000+:￥1.3227 500+:￥1.3753 333+:￥1.4805 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 375 pF @ 6 V |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |