SI2301-TP
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.110682
24,365
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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SI2301-TP
MCC
SOT-23

5000+:¥0.1107

100+:¥0.1136

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2564

2409
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3000+:¥0.119

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SI2301-TP
美微科(MCC)
SOT-23

30000+:¥0.1309

6000+:¥0.1414

3000+:¥0.1488

800+:¥0.2083

100+:¥0.2976

20+:¥0.4844

3942

-
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MCC(美微科)
SOT-23

3000+:¥0.1516

300+:¥0.171

100+:¥0.197

10+:¥0.2488

5310

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MCC(美微科)
SOT-23

1200+:¥0.1608

600+:¥0.1625

100+:¥0.1872

10+:¥0.2364

958

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MCC(美微科)
SOT-23

3000+:¥0.1785

1500+:¥0.1995

220+:¥0.231

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3天-15天
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SOT-23

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1-3工作日
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MCC(美微科)
SOT-23

60000+:¥0.1322

45000+:¥0.1333

3000+:¥0.1344

1500+:¥0.1523

200+:¥0.1747

1+:¥0.271

4877

25+
2-5工作日
SI2301-TP
Micro Commercial Components
SOT-23

3000+:¥0.1442

300+:¥0.1631

100+:¥0.1898

10+:¥0.2425

48343

2449+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 120 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 880 pF @ 6 V
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3