SI2301
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0821
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场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):3A,导通电阻(RDS(on)):110mΩ@4.5V
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数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 3A
导通电阻(RDS(on)) 110mΩ@4.5V