SI2300DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.803
54,028
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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SI2300DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3(TO-236)

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VISHAY(威世)
SOT-23

6000+:¥0.817

3000+:¥0.8725

500+:¥0.965

150+:¥1.1726

50+:¥1.339

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Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.83512

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VISHAY
SOT-23

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威世(VISHAY)
SOT-23-3(TO-236-3)

30000+:¥0.8833

6000+:¥0.9536

3000+:¥1.0038

800+:¥1.4053

200+:¥2.0076

10+:¥3.2674

6900

-
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Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.8833

1500+:¥0.9339

750+:¥0.9889

100+:¥1.111

40+:¥1.375

6980

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VISHAY(威世)
SOT23-3

500+:¥0.96

150+:¥1.17

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5+:¥1.72

1869

22+/23+
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Vishay Intertechnology
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.8

3000+:¥0.8516

500+:¥0.9106

150+:¥1.0108

50+:¥1.1279

5+:¥1.3184

768

2444+
1工作日
SI2300DS-T1-GE3
VISHAY SEMICONDUCTORS
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.8

3000+:¥0.8516

500+:¥0.9106

150+:¥1.0108

50+:¥1.1279

5+:¥1.3184

4826

23+
1-3工作日
SI2300DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.825

6000

24+
1-3工作日
SI2300DS-T1-GE3
Vishay(威世)
SOT-23-3

3000+:¥0.83512

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100+:¥1.0504

1+:¥1.3

17704

--
1-3工作日
SI2300DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3,TO-236

39000+:¥0.8791

18000+:¥0.888

3000+:¥0.8913

1500+:¥0.9424

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100+:¥1.1211

1+:¥1.3875

20714

24+
2-4工作日
SI2300DS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SOT-23-3,TO-236

50000+:¥1.0464

10000+:¥1.0752

1000+:¥1.104

10+:¥1.1808

18523

-
5-7工作日
SI2300DS-T1-GE3
VISHAY
SOT-23-3,TO-236

2090+:¥1.2908

18052

-
3-5工作日
SI2300DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3,TO-236

271+:¥1.2926

269+:¥1.3038

268+:¥1.3263

267+:¥1.405

17149

-
6-8工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 68 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 320 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.1W(Ta),1.7W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3