SI1539CDL-T1-GE3
VISHAY(威世)
SC-70-6(SOT-363)
¥0.463
24,839
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):30V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):700mA,500mA,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):388 毫欧 @ 600mA,10V
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SI1539CDL-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-363

3000+:¥0.463

1+:¥0.496

3024

22+
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SI1539CDL-T1-GE3
Vishay(威世)
SC-70-6(SOT-363)

3000+:¥0.48152

1+:¥0.51584

3023

22+
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Vishay(威世)
SC-70-6

3000+:¥0.4816

1500+:¥0.5159

200+:¥0.5679

80+:¥0.6961

3024

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3天-15天
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威世(VISHAY)
SC-70-6(SOT-363)

30000+:¥0.5093

6000+:¥0.5499

3000+:¥0.5788

800+:¥0.8103

200+:¥1.1576

10+:¥1.884

3024

-
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SC-70-6(SOT-363)

500+:¥0.7157

150+:¥1.0058

50+:¥1.1292

5+:¥1.4171

2930

-
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VISHAY
SC-70-6

1+:¥0.9202

9814

2236
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Vishay(威世)
SOT-363-6

3000+:¥0.40435

1500+:¥0.43264

200+:¥0.4759

1+:¥0.68972

3144

--
1-3工作日
SI1539CDL-T1-GE3
Vishay Intertechnology
SC-70-6

800+:¥0.5

100+:¥0.52

30+:¥0.55

10+:¥0.58

1+:¥0.63

48

1138+
1工作日
SI1539CDL-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SC-70-6

24000+:¥0.554

12000+:¥0.5638

6000+:¥0.5735

3000+:¥0.6075

5000

22+
3-6工作日
SI1539CDL-T1-GE3
VISHAY SEMICONDUCTORS
SC-70-6

3000+:¥0.6522

300+:¥0.7109

100+:¥0.7761

30+:¥0.8543

10+:¥1.037

1+:¥1.2522

4101

23+
1-3工作日
SI1539CDL-T1-GE3
Vishay Semiconductors
SC-70-6

6000+:¥1.15

3000+:¥1.18

500+:¥1.2

10+:¥1.25

300000

-
3-5工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 700mA,500mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 388 毫欧 @ 600mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 28pF @ 15V
功率 - 最大值 340mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363