2N7002W-7-F
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.11
29,010
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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2N7002W-7-F
DIODES(美台)
SOT323

3000+:¥0.11

1+:¥0.124

4687

2年内
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2N7002W-7-F
Diodes(美台)
SOT-323-3

3000+:¥0.1144

1+:¥0.12896

4685

2年内
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2N7002W-7-F
美台(DIODES)
SOT-323

30000+:¥0.1206

6000+:¥0.1302

3000+:¥0.137

800+:¥0.1918

100+:¥0.274

20+:¥0.4459

3402

-
2N7002W-7-F
DIODES(美台)
SOT-323

3000+:¥0.151

1200+:¥0.19

600+:¥0.1919

100+:¥0.216

10+:¥0.2644

5910

-
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DIODES(美台)
SOT-323

3000+:¥0.1589

300+:¥0.202

100+:¥0.2274

10+:¥0.2783

4730

-
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Diodes(达尔)
SOT-323

3000+:¥0.165

1500+:¥0.186

240+:¥0.216

4687

-
3天-15天
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DIODES INCORPORATED
SOT-323

1+:¥0.1758

909

2137
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2N7002W-7-F
Diodes Incorporated
SOT-323

24000+:¥0.1098

12000+:¥0.1127

6000+:¥0.1146

3000+:¥0.1242

3000

-
5-7工作日
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Diodes Incorporated
SOT-323

150000+:¥0.11

75000+:¥0.11

15000+:¥0.11

3000+:¥0.11

60000

-
3-5工作日
2N7002W-7-F
Diodes(美台)
SOT-323-3

3000+:¥0.1144

1500+:¥0.12896

200+:¥0.14976

1+:¥0.22984

6137

--
1-3工作日
2N7002W-7-F
DIODES(美台)
SOT-323

60000+:¥0.1199

45000+:¥0.121

3000+:¥0.1221

1500+:¥0.1376

200+:¥0.1598

1+:¥0.2453

10676

25+
2-4工作日
2N7002W-7-F
Diodes Incorporated
SOT-323

24000+:¥0.1234

12000+:¥0.1256

6000+:¥0.1277

3000+:¥0.1298

99000

25+
3-5工作日
2N7002W-7-F
Diodes Incorporated
SOT-323

12000+:¥1.3333

6000+:¥1.3601

3000+:¥1.3883

5850

-
10-15工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 115mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323