2N7002T-7-F
DIODES(美台)
SOT-523
¥0.127
132,154
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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2N7002T-7-F
DIODES(美台)
SOT523

3000+:¥0.127

1+:¥0.144

20384

23+
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2N7002T-7-F
Diodes(美台)
SOT-523

3000+:¥0.13208

1+:¥0.14976

20381

23+
1-2工作日发货
2N7002T-7-F
美台(DIODES)
SC-89(SOT-523)

30000+:¥0.1359

6000+:¥0.1467

3000+:¥0.1544

800+:¥0.2162

100+:¥0.3088

20+:¥0.5025

4087

-
2N7002T-7-F
DIODES INCORPORATED
SOT-523

100+:¥0.1388

1+:¥0.194

60622

2136
现货最快4H发
2N7002T-7-F
DIODES(美台)
SOT-523-3

3000+:¥0.1736

1500+:¥0.1818

600+:¥0.1949

200+:¥0.2112

50+:¥0.2276

10+:¥0.2473

4056

-
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2N7002T-7-F
Diodes(达尔)
SOT-523

3000+:¥0.1905

1500+:¥0.216

210+:¥0.2475

20384

-
3天-15天
2N7002T-7-F
DIODES(美台)
SOT-523

300+:¥0.2116

100+:¥0.2392

10+:¥0.2944

2240

-
立即发货
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Diodes(美台)
SOT-523

3000+:¥0.13208

1500+:¥0.14976

200+:¥0.1716

1+:¥0.2652

35764

--
1-3工作日
2N7002T-7-F
DIODES(美台)
SOT-523

60000+:¥0.1376

45000+:¥0.1388

3000+:¥0.141

1500+:¥0.1598

200+:¥0.1832

1+:¥0.2831

39285

24+
2-4工作日
2N7002T-7-F
DIODES(美台)
SOT-523

3000+:¥0.1699

50928

-
6-8工作日
2N7002T-7-F
Diodes Incorporated
SOT-523

20+:¥0.177

10+:¥0.18

5+:¥0.1845

1+:¥0.1875

37

-
3-6工作日
2N7002T-7-F
Diodes Incorporated
SOT-523

1500+:¥0.7654

750+:¥0.7902

50+:¥0.8144

42950

-
10-15工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 115mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-523