2N7002PW,115
Nexperia(安世)
SOT-323(SC-70)
¥0.116
1,128,065
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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2N7002PW,115
Nexperia(安世)
SOT-323-3

3000+:¥0.116

1+:¥0.131

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2N7002PW,115
NEXPERIA
SOT-323

3000+:¥0.1164

1000+:¥0.132

100+:¥0.1514

1+:¥0.194

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2242
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Nexperia(安世)
SOT-323

5000+:¥0.1176

2000+:¥0.1206

500+:¥0.1257

300+:¥0.1358

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Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.12064

1+:¥0.13624

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Nexperia(安世)
SOT-323(SC-70)

9000+:¥0.1282

6000+:¥0.1362

3000+:¥0.1524

300+:¥0.1742

100+:¥0.2013

10+:¥0.2556

4150

-
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Nexperia(安世)
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3000+:¥0.14551

440066

25+24+23+
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Nexperia(安世)
SOT-323

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23+25+
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安世(Nexperia)
SC-70(SOT-323)

30000+:¥0.1522

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3000+:¥0.173

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4800

-
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Nexperia(安世)
SC-70(SOT-323)

3000+:¥0.173

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100+:¥0.221

20+:¥0.276

67640

23+
2N7002PW,115
Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.174

1500+:¥0.1965

230+:¥0.2265

58181

-
3天-15天
2N7002PW,115
nexperia
SOT-323

50+:¥0.1

20+:¥0.11

10+:¥0.125

57

2229+
1工作日
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Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.12064

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200+:¥0.15704

1+:¥0.24336

61507

--
1-3工作日
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Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.1276

1500+:¥0.1441

200+:¥0.1661

1+:¥0.2574

61507

25+
2-4工作日
2N7002PW,115
nexperia
SOT-323

9000+:¥0.1282

6000+:¥0.1346

3000+:¥0.15

300+:¥0.17

100+:¥0.203

10+:¥0.25

11228

2425+
1工作日
2N7002PW,115
nexperia
SOT-323

1500+:¥0.1305

1000+:¥0.1353

500+:¥0.14

57000

-
3-5工作日
2N7002PW,115
Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.1587

1000+:¥0.181

28337

-
6-8工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 310mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 260mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323