2N7002LT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.078
1,337,707
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
2N7002LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.078

1+:¥0.0983

282778

25+
立即发货
2N7002LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1+:¥0.0784

5390

2516
现货最快4H发
2N7002LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

21000+:¥0.0792

9000+:¥0.0828

3000+:¥0.0882

600+:¥0.1075

200+:¥0.1255

20+:¥0.1658

98720

-
立即发货
2N7002LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.07926

19820

25+24+
1-3工作日发货
2N7002LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.07926

170

24+
1-3工作日发货
2N7002LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.08077

1000+:¥0.08227

500+:¥0.08377

100+:¥0.0852

10+:¥0.08625

351463

25+
现货
2N7002LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.08112

1+:¥0.10223

279637

25+
1-2工作日发货
2N7002LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.0837

6000+:¥0.0903

3000+:¥0.0951

800+:¥0.1331

100+:¥0.1902

20+:¥0.2948

964

-
2N7002LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.0847

1200+:¥0.1032

300+:¥0.1205

20+:¥0.1592

6210

-
立即发货
2N7002LT1G
onsemi(安森美)
SOT23

3000+:¥0.086

600+:¥0.098

200+:¥0.123

20+:¥0.164

12854

22+
2N7002LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.117

1500+:¥0.1475

220+:¥0.2355

279697

-
3天-15天
2N7002LT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

21000+:¥0.0795

9000+:¥0.0832

3000+:¥0.0867

600+:¥0.1036

200+:¥0.1248

20+:¥0.1522

1446155

2515+
1工作日
2N7002LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.08112

1500+:¥0.10223

200+:¥0.16328

1+:¥0.48984

30

--
1-3工作日
2N7002LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3,TO-236

21000+:¥0.0816

9000+:¥0.0852

3000+:¥0.0886

600+:¥0.1048

200+:¥0.1245

20+:¥0.1493

154782

22+
1-3工作日
2N7002LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

30000+:¥0.084

3000+:¥0.0885

1000+:¥0.12

100+:¥0.1688

129458

22+
3-5工作日
2N7002LT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

2000+:¥0.088

1+:¥0.12

680

2436+
1工作日
2N7002LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.0885

6000+:¥0.09

3000+:¥0.0915

1+:¥0.0938

457564

25+
3-5工作日
2N7002LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

30000+:¥0.0886

15000+:¥0.0909

9000+:¥0.0939

3000+:¥0.0963

120000

-
3-5工作日
2N7002LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.0887

12000+:¥0.0903

6000+:¥0.0933

3000+:¥0.0956

70000

25+
3-6工作日
2N7002LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

9000+:¥0.1482

6000+:¥0.1482

3000+:¥0.1482

675000

-
3-5工作日
2N7002LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

1000+:¥0.1932

200+:¥0.2034

50+:¥0.217

10+:¥0.2288

1535

批次:22+
3-5工作日
2N7002LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

1+:¥0.20097

4

2240
现货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 115mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 225mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3