2N7002KT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.088
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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2N7002KT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

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1+:¥0.111

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2N7002KT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

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2N7002KT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

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500+:¥0.1117

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onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.108

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5960

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ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.11277

151

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2N7002KT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.118

6000+:¥0.1274

3000+:¥0.1341

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100+:¥0.2682

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-
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ON(安森美)
SOT-23

6000+:¥0.1279

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500+:¥0.1535

200+:¥0.1651

20+:¥0.1768

1998

-
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2N7002KT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.132

1500+:¥0.1665

200+:¥0.2655

90+:¥0.5852

473367

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3天-15天
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onsemi(安森美)
SOT-23(SOT-23-3)

30+:¥0.176

5+:¥0.229

15540

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ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.1118

73

2409
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2N7002KT1G
ON Semiconductor

21000+:¥0.0882

9000+:¥0.093

3000+:¥0.1

500+:¥0.12

50+:¥0.15

90443

2505+
1工作日
2N7002KT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.10296

1500+:¥0.12896

200+:¥0.208

1+:¥0.62296

583371

--
1-3工作日
2N7002KT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

60000+:¥0.1073

45000+:¥0.1084

3000+:¥0.1089

1500+:¥0.1364

200+:¥0.22

1+:¥0.6589

580537

25+
2-4工作日
2N7002KT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

30000+:¥0.1093

3000+:¥0.1133

1000+:¥0.144

100+:¥0.1875

1550717

22+
3-5工作日
2N7002KT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

30000+:¥0.1162

15000+:¥0.1192

9000+:¥0.1232

3000+:¥0.1263

120000

-
3-5工作日
2N7002KT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.118

6000+:¥0.12

3000+:¥0.122

1+:¥0.125

161332

25+
3-5工作日
2N7002KT1G
onsemi(安森美)
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.1322

552189

-
6-8工作日
2N7002KT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3,TO-236

1+:¥0.1143

1

21+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 320mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 24.5 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 300mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3