2N7002KDW
CBI(创基)
SOT-363
¥0.06604
46,404
场效应管(MOSFET)
数量:2个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):300mA,导通电阻(RDS(on)):5.3Ω@4.5V
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2N7002KDW
CBI(创基)
SOT-363

3000+:¥0.064

1+:¥0.0807

7674

2年内
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2N7002KDW
CBI(创基)
SOT-363

3000+:¥0.06604

1+:¥0.0832

7646

2年内
1-2工作日发货
2N7002KDW
创基(CBI)
SOT-363

30000+:¥0.0704

6000+:¥0.076

3000+:¥0.08

800+:¥0.112

100+:¥0.16

20+:¥0.2604

7674

-
2N7002KDW
CBI(创基)
SOT-363

3000+:¥0.0941

1500+:¥0.1187

270+:¥0.1897

7674

-
3天-15天
2N7002KDW
CBI(创基)
SOT-363

21000+:¥0.0944

9000+:¥0.1012

3000+:¥0.1137

600+:¥0.1365

200+:¥0.1605

20+:¥0.2037

21280

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 2个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 300mA
导通电阻(RDS(on)) 5.3Ω@4.5V