2N7002ET1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0962
172,956
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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2N7002ET1G
onsemi(安森美)
SOT-23

21000+:¥0.0962

9000+:¥0.1038

3000+:¥0.1178

600+:¥0.1424

200+:¥0.1694

20+:¥0.2179

25060

-
立即发货
2N7002ET1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.104

1+:¥0.118

40389

25+
立即发货
2N7002ET1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.10816

1+:¥0.12272

39841

25+
1-2工作日发货
2N7002ET1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.11049

5781

23+22+
1-3工作日发货
2N7002ET1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.11049

5781

22+23+
1-3工作日发货
2N7002ET1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.1127

3556

2507
现货最快4H发
2N7002ET1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1131

1200+:¥0.1367

300+:¥0.1626

20+:¥0.2092

2967

-
立即发货
2N7002ET1G
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.116

600+:¥0.138

200+:¥0.161

20+:¥0.202

6000

22+/23+
2N7002ET1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1167

6000+:¥0.126

3000+:¥0.1326

800+:¥0.1856

100+:¥0.2652

20+:¥0.4111

3192

-
2N7002ET1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.156

1500+:¥0.177

250+:¥0.204

40389

-
3天-15天
2N7002ET1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

21000+:¥0.0955

9000+:¥0.103

3000+:¥0.11

500+:¥0.1324

100+:¥0.153

10+:¥0.1849

17799

2436+
1工作日
2N7002ET1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.1026

12000+:¥0.1044

6000+:¥0.1062

3000+:¥0.1125

3000

24+
3-6工作日
2N7002ET1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.1067

1000+:¥0.1094

500+:¥0.1122

100+:¥0.375

132680

-
3-6工作日
2N7002ET1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.10816

1500+:¥0.12272

200+:¥0.14144

1+:¥0.21736

43002

--
1-3工作日
2N7002ET1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.1087

300+:¥0.1185

100+:¥0.1293

30+:¥0.1424

10+:¥0.1728

1+:¥0.2087

60000

22+
1-3工作日
2N7002ET1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

30000+:¥0.115

3000+:¥0.1239

1000+:¥0.162

100+:¥0.2

307362

22+
3-5工作日
2N7002ET1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

12000+:¥0.1239

6000+:¥0.126

3000+:¥0.1303

10+:¥0.1335

20

22+
3-6工作日
2N7002ET1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

18000+:¥0.1254

9000+:¥0.134

3000+:¥0.1493

100+:¥0.264

420000

22+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 260mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.5 欧姆 @ 240mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.81 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 26.7 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 300mW(Tj)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3