2N7002BK,215
Nexperia(安世)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.0676
538,098
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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2N7002BK,215
Nexperia(安世)
SOT-23

21000+:¥0.0676

9000+:¥0.0729

3000+:¥0.0828

600+:¥0.0954

200+:¥0.1143

20+:¥0.1484

22320

-
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2N7002BK,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.0679

393720

23+
1-3工作日发货
2N7002BK,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.068

1+:¥0.0857

3006

24+
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2N7002BK,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.07072

1+:¥0.08913

30928

24+
1-2工作日发货
2N7002BK,215
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.0711

6000+:¥0.0768

3000+:¥0.0808

800+:¥0.1131

100+:¥0.1616

20+:¥0.263

4061

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 350mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 370mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
等级 汽车级
资质 AEC-Q101
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3