2N7002A-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0788
719,045
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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2N7002A-7
DIODES(美台)
SOT-23

21000+:¥0.0788

9000+:¥0.0849

3000+:¥0.0962

600+:¥0.1092

200+:¥0.1309

20+:¥0.17

21380

-
立即发货
2N7002A-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.089

1+:¥0.112

282630

24+
立即发货
2N7002A-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.09256

1+:¥0.11648

282624

24+
1-2工作日发货
2N7002A-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.0968

6000+:¥0.1045

3000+:¥0.11

800+:¥0.154

100+:¥0.22

20+:¥0.3581

114056

-
2N7002A-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23

1+:¥0.1029

4612

2427
现货最快4H发
2N7002A-7
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.1105

1200+:¥0.123

300+:¥0.1438

20+:¥0.1813

8743

-
立即发货
2N7002A-7
Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.1335

1500+:¥0.168

200+:¥0.27

90+:¥0.5918

282630

-
3天-15天
2N7002A-7
DIODES(美台)
SOT-23(SOT-23-3)

500+:¥0.142

100+:¥0.167

20+:¥0.185

5+:¥0.252

5000

23+
2N7002A-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.09256

1500+:¥0.11648

200+:¥0.1872

1+:¥0.55952

288650

--
1-3工作日
2N7002A-7
DIODES
SOT-23-3

9000+:¥0.0967

3000+:¥0.0985

500+:¥0.1079

100+:¥0.1168

10+:¥0.1286

1+:¥0.1346

12769

2414+
1工作日
2N7002A-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

60000+:¥0.0973

45000+:¥0.0983

3000+:¥0.0988

1500+:¥0.1243

200+:¥0.1998

1+:¥0.5972

291665

24+
2-4工作日
2N7002A-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

60000+:¥0.0992

3000+:¥0.1001

1500+:¥0.1018

100+:¥0.1053

99999

24+
3-5工作日
2N7002A-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.1192

277081

-
6-8工作日
2N7002A-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

1500+:¥0.4009

750+:¥0.4145

3900

-
10-15工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 欧姆 @ 115mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 23 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 370mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3