RZM001P02T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723
¥0.10192
639,153
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V
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RZM001P02T2L
ROHM(罗姆)
VMT3(SOT-723)

8000+:¥0.098

1+:¥0.12

270798

25+
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RZM001P02T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723-3

8000+:¥0.10192

1+:¥0.1248

236719

25+
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RZM001P02T2L
罗姆(ROHM)
SOT-89(SC-62)

80000+:¥0.1243

16000+:¥0.1342

8000+:¥0.1413

5000+:¥0.1978

2000+:¥0.2826

1000+:¥0.4599

120000

-
RZM001P02T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723-3

8000+:¥0.1409

3200+:¥0.1424

1600+:¥0.1439

100+:¥0.2119

10+:¥0.214

5377

-
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RZM001P02T2L
ROHM(罗姆)
VMT

8000+:¥0.147

4000+:¥0.18

500+:¥0.27

90+:¥0.5918

268736

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3天-15天
RZM001P02T2L
ROHM
[VMT3, SOT-723]

1+:¥0.1666

531

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现货最快4H发
RZM001P02T2L
ROHM(罗姆)
VMT

5000+:¥0.3409

4000+:¥0.3409

1000+:¥0.3996

500+:¥0.4819

300+:¥0.5876

230+:¥0.6663

7730

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3周-4周
RZM001P02T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723

600+:¥0.1453

200+:¥0.1747

20+:¥0.2277

60

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RZM001P02T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723-3

8000+:¥0.10192

4000+:¥0.1248

500+:¥0.1872

1+:¥0.55952

772528

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1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 100µA
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 15 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-723