RUC002N05T116
ROHM(罗姆)
SOT-23
¥0.1092
168,413
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):50 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V
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RUC002N05T116
ROHM(罗姆)
SOT-23-3

3000+:¥0.1092

1+:¥0.12376

54685

25+
1-2工作日发货
RUC002N05T116
罗姆(ROHM)
SOT-23

30000+:¥0.1155

6000+:¥0.1248

3000+:¥0.1313

800+:¥0.1838

100+:¥0.2626

20+:¥0.4274

54690

-
RUC002N05T116
ROHM(罗姆)
SOT-23

1200+:¥0.1469

600+:¥0.1484

100+:¥0.1641

10+:¥0.2106

736

-
立即发货
RUC002N05T116
ROHM(罗姆)
SOT-23

300+:¥0.1499

100+:¥0.1746

10+:¥0.224

2890

-
立即发货
RUC002N05T116
ROHM(罗姆)
SOT-23

3000+:¥0.1575

1500+:¥0.1785

250+:¥0.2055

54690

-
3天-15天
RUC002N05T116
ROHM(罗姆)
SOT-23

500+:¥0.7458

300+:¥0.8851

120+:¥1.3128

714

-
3周-4周
RUC002N05T116
ROHM(罗姆)
SST3(SOT-23-3)

3000+:¥0.105

1+:¥0.119

81916

25+
立即发货
RUC002N05T116
ROHM(罗姆)
SOT-23-3

3000+:¥0.1092

1500+:¥0.12376

200+:¥0.14248

1+:¥0.21944

90916

--
1-3工作日
RUC002N05T116
ROHM(罗姆)
SST-3

60000+:¥0.1133

45000+:¥0.1144

3000+:¥0.1155

1500+:¥0.1309

200+:¥0.1507

1+:¥0.2321

90946

25+
2-4工作日
RUC002N05T116
ROHM(罗姆)
SOT-23

3000+:¥0.117

3000

-
3天-5天
RUC002N05T116
ROHM
SST-3

3000+:¥0.1279

1500+:¥0.1327

500+:¥0.1384

150+:¥0.1567

50+:¥0.1854

5+:¥0.2192

12343

2440+
1工作日
RUC002N05T116
ROHM(罗姆)
SST-3

3000+:¥0.1404

86398

-
6-8工作日
RUC002N05T116
ROHM
SST-3

5000+:¥0.446

2500+:¥0.456

1000+:¥0.4643

500+:¥0.4741

2300

-
10-15工作日
RUC002N05T116
ROHM
SST-3

400+:¥0.6325

240+:¥0.708

80+:¥0.78

2224

-
14-18工作日
RUC002N05T116
ROHM
[SOT-23, SOT-23]

1+:¥0.2058

8

2121
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 25 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3