RK7002BMT116
ROHM(罗姆)
SOT-23
¥0.06531
1,658,701
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
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RK7002BMT116
ROHM(罗姆)
SST3(SOT-23-3)

3000+:¥0.0635

1+:¥0.08

1148162

25+
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RK7002BMT116
ROHM(罗姆)
SOT-23-3

3000+:¥0.06531

1+:¥0.08226

724826

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RK7002BMT116
罗姆(ROHM)
SOT-23

30000+:¥0.0659

6000+:¥0.0712

3000+:¥0.0749

1000+:¥0.1049

500+:¥0.1498

100+:¥0.2322

54171

-
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ROHM(罗姆)
SOT-23

9000+:¥0.067

3000+:¥0.076

600+:¥0.096

200+:¥0.1134

20+:¥0.1447

16100

-
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RK7002BMT116
ROHM(罗姆)
SOT-23

3000+:¥0.0942

1500+:¥0.1187

270+:¥0.1905

724832

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RK7002BMT116
ROHM
SOT-23

1+:¥0.098

338

2221
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ROHM(罗姆)
SOT-23

100+:¥0.103

30+:¥0.109

10+:¥0.111

1+:¥0.121

1711

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ROHM(罗姆)
SOT-23

3000+:¥0.1062

15000

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3天-5天
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ROHM(罗姆)
SOT-23-3

1000+:¥0.17

500+:¥0.21

200+:¥0.31

50+:¥0.51

19643

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ROHM(罗姆)
SOT-23

3000+:¥0.2031

100+:¥0.2809

1+:¥0.5261

13626

-
3天-5天
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ROHM(罗姆)
SOT-23

30000+:¥0.4936

10000+:¥0.5171

5000+:¥0.5171

4000+:¥0.5289

500+:¥0.6166

300+:¥0.7458

150+:¥1.0342

87680

-
3周-4周
RK7002BMT116
ROHM(罗姆)
SOT-23

500+:¥0.6166

300+:¥0.7458

150+:¥1.0342

774

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3周-4周
RK7002BMT116
ROHM(罗姆)
SOT-23-3

3000+:¥0.06604

1500+:¥0.0832

200+:¥0.13312

1+:¥0.39936

345786

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1-3工作日
MOS场效应管 RK7002BMT116 SOT-23(RK7002BMT116)
罗姆(ROHM)
SOT-23

3000+:¥0.113

1000+:¥0.147

20+:¥0.17

5+:¥0.283

0

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 250mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.4 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 15 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3