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RFD14N05LSM9A
onsemi(安森美)
TO-252AA
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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RFD14N05LSM9A
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onsemi(安森美)
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TO-252AA
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1000+:￥1.83 500+:￥1.94 100+:￥2.12 30+:￥2.76 10+:￥3.08 1+:￥3.84 |
3109 |
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立即发货
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立创商城
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RFD14N05LSM9A
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ON(安森美)
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TO-252
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2500+:￥1.872 1+:￥1.9656 |
2103 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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RFD14N05LSM9A
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ON SEMICONDUCTOR
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DPAK-3 / TO-252-3
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1+:￥2.4834 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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RFD14N05LSM9A
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安森美(onsemi)
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TO-252
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30+:￥3.7532 10+:￥4.5038 1+:￥6.7558 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 50 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 14A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 40 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 670 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 48W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |