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RE1C002UNTCL
ROHM(罗姆)
SC-89，SOT-490
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，2.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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ROHM(罗姆)
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EMT3F(SOT-416FL)
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3000+:￥0.08 1+:￥0.101 |
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圣禾堂
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ROHM(罗姆)
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SOT-416FL-3
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3000+:￥0.0832 1+:￥0.10504 |
244131 |
25+
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硬之城
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ROHM(罗姆)
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SC-89(SOT-490)
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9000+:￥0.0931 3000+:￥0.1056 600+:￥0.1296 200+:￥0.1538 20+:￥0.1973 |
13060 |
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ROHM(罗姆)
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SOT416FL
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6000+:￥0.11 3000+:￥0.125 300+:￥0.15 30+:￥0.17 1+:￥0.22 |
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EMTF
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3000+:￥0.12 1500+:￥0.1515 210+:￥0.243 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，2.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 25 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |