QS5K2TR
ROHM(罗姆)
SOT-23-5
¥0.8205
33,547
场效应管(MOSFET)
FET 类型:2 N 沟道(双)共源,FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):30V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):100 毫欧 @ 2A,4.5V
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30000+:¥0.9944

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1000+:¥1.6482

500+:¥1.7153

300+:¥1.8015

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 2 N 沟道(双)共源
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 175pF @ 10V
功率 - 最大值 1.25W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-5 细型,TSOT-23-5