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PZT651T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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PZT651T1G
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ON(安森美)
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SOT-223-4
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1000+:￥1.05 1+:￥1.14 |
944 |
25+
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圣禾堂
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PZT651T1G
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ON(安森美)
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SOT-223-3
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1000+:￥1.092 1+:￥1.1856 |
941 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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PZT651T1G
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安森美(onsemi)
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SOT-223
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10000+:￥1.155 2000+:￥1.2469 1000+:￥1.3125 500+:￥1.8375 100+:￥2.625 10+:￥4.2722 |
944 |
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油柑网
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PZT651T1G
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ON(安森美)
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SOT-223
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50+:￥1.254 40+:￥1.628 |
964 |
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3天-15天
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唯样商城
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PZT651T1G
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onsemi(安森美)
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SOT-223
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150+:￥1.7207 50+:￥1.9157 5+:￥2.3707 |
145 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 75 @ 1A，2V |
| 功率 - 最大值 | 800 mW |
| 频率 - 跃迁 | 75MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |