PZT651T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥1.05
3,978
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
PZT651T1G
ON(安森美)
SOT-223-4

1000+:¥1.05

1+:¥1.14

944

25+
立即发货
PZT651T1G
ON(安森美)
SOT-223-3

1000+:¥1.092

1+:¥1.1856

941

25+
1-2工作日发货
PZT651T1G
安森美(onsemi)
SOT-223

10000+:¥1.155

2000+:¥1.2469

1000+:¥1.3125

500+:¥1.8375

100+:¥2.625

10+:¥4.2722

944

-
PZT651T1G
ON(安森美)
SOT-223

50+:¥1.254

40+:¥1.628

964

-
3天-15天
PZT651T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

150+:¥1.7207

50+:¥1.9157

5+:¥2.3707

145

-
立即发货
PZT651T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-223

1+:¥1.666

40

-
现货最快4H发
PZT651T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥1.092

50+:¥1.1856

1+:¥1.5392

964

--
1-3工作日
PZT651T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥1.1832

500+:¥1.2342

100+:¥1.3362

30+:¥1.4382

1+:¥1.4892

0

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 75 @ 1A,2V
功率 - 最大值 800 mW
频率 - 跃迁 75MHz
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA