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PXN012-60QLJ
Nexperia(安世)
MLPAK-33-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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PXN012-60QLJ
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Nexperia(安世)
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MLPAK-33-8
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6000+:￥0.6888 3000+:￥0.732 500+:￥0.8039 150+:￥1.0217 50+:￥1.1537 5+:￥1.4617 |
470 |
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立创商城
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PXN012-60QLJ
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Nexperia(安世)
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8-PowerVDFN
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3000+:￥0.949 1+:￥1.0 |
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24+
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圣禾堂
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PXN012-60QLJ
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Nexperia(安世)
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MLPAK33
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3000+:￥0.98696 1+:￥1.04 |
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24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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PXN012-60QLJ
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Nexperia(安世)
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MLPAK33
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3000+:￥1.0224 1500+:￥1.1758 1000+:￥1.4345 100+:￥1.8361 1+:￥2.4237 |
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3天-5天
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唯样商城
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PXN012-60QLJ
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Nexperia(安世)
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MLPAK33
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3000+:￥1.0439 1500+:￥1.1 750+:￥1.166 100+:￥1.309 40+:￥1.639 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 18.77 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 957 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 34.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |