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PSMN1R4-40YLDX
Nexperia(安世)
LFPAK56(PowerSO-8)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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PSMN1R4-40YLDX
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Nexperia(安世)
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LFPAK56-5
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1500+:￥3.23 1+:￥3.37 |
2520 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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PSMN1R4-40YLDX
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Nexperia(安世)
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SOT-669
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1500+:￥3.3592 1+:￥3.5048 |
1785 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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PSMN1R4-40YLDX
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Nexperia(安世)
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SOT669
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1500+:￥3.553 750+:￥3.707 100+:￥4.081 20+:￥4.884 |
1870 |
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3天-15天
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唯样商城
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PSMN1R4-40YLDX
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Nexperia(安世)
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LFPAK56(PowerSO-8)
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1500+:￥3.9964 500+:￥4.1516 100+:￥4.5008 30+:￥5.44 10+:￥6.14 1+:￥7.43 |
427 |
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立即发货
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立创商城
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PSMN1R4-40YLDX
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Nexperia(安世)
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SOT-669
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500+:￥4.28 100+:￥4.54 20+:￥5.28 1+:￥5.96 |
3000 |
24+/25+
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在芯间
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PSMN1R4-40YLDX
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Nexperia(安世)
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SOT669
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1500+:￥4.7092 1000+:￥5.4156 360+:￥6.607 |
7500 |
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3天-5天
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唯样商城
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PSMN1R4-40YLDX
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Nexperia(安世)
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SOT669
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1000+:￥4.784 500+:￥4.992 100+:￥5.408 30+:￥5.824 1+:￥6.032 |
0 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 96 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6661 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 238W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |