PSMN040-100MSEX
Nexperia(安世)
LFPAK33-8
¥2.1
11,166
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tj),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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PSMN040-100MSEX
Nexperia(安世)
LFPAK33-8

1500+:¥2.1

1+:¥2.19

2375

25+
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PSMN040-100MSEX
Nexperia(安世)
LFPAK33

1500+:¥2.184

1+:¥2.2776

2370

25+
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PSMN040-100MSEX
安世(Nexperia)
SOT-1210

15000+:¥2.31

3000+:¥2.4938

1500+:¥2.625

500+:¥3.675

200+:¥5.25

10+:¥8.5444

2395

-
PSMN040-100MSEX
Nexperia(安世)
SOT1210

1500+:¥2.31

750+:¥2.409

100+:¥2.662

20+:¥3.179

2395

-
3天-15天
PSMN040-100MSEX
Nexperia(安世)
LFPAK33-8

1500+:¥2.5641

500+:¥2.7126

100+:¥3.0195

30+:¥3.55

10+:¥4.06

1+:¥5.08

1631

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 36.6 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 30 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1470 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 91W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)