PMZ290UNE2YL
Nexperia(安世)
SC-101,SOT-883
¥0.1725
28,268
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
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PMZ290UNE2YL
Nexperia(安世)
DFN1006-3L

20000+:¥0.0856

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2000+:¥0.1049

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200+:¥0.1433

20+:¥0.1865

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安世(Nexperia)
SOT-883

100000+:¥0.2134

20000+:¥0.2304

10000+:¥0.2425

1000+:¥0.3395

100+:¥0.485

20+:¥0.7894

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100+:¥0.23913

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MOS场效应管 PMZ290UNE2YL SOT-883(PMZ290UNE2YL)
Nexperia(安世)
SOT-883

10000+:¥0.255

1000+:¥0.331

20+:¥0.382

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NEXPERIA
SOT883

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100+:¥0.1892

1+:¥0.2088

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SOT883

10000+:¥0.1779

5000+:¥0.2046

1000+:¥0.2496

100+:¥0.3195

1+:¥0.4217

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5000+:¥0.2723

2000+:¥0.2796

500+:¥0.2917

300+:¥0.316

100+:¥0.3403

1+:¥0.3646

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 320 毫欧 @ 1.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.4 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 46 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta),5.43W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-101,SOT-883