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PMXB120EPEZ
Nexperia(安世)
DFN1010D-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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Nexperia(安世)
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DFN-1010D-3
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5000+:￥0.542 1+:￥0.584 |
4002 |
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圣禾堂
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Nexperia(安世)
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5000+:￥0.5574 2500+:￥0.5923 500+:￥0.6505 150+:￥0.797 50+:￥0.9039 5+:￥1.1531 |
6720 |
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立创商城
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Nexperia(安世)
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DFN-1010D-3
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5000+:￥0.56368 1+:￥0.60736 |
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1-2工作日发货
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硬之城
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Nexperia(安世)
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SOT1215
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2500+:￥0.6424 1250+:￥0.7073 100+:￥0.8492 50+:￥1.1 |
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3天-15天
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1000+:￥0.813 500+:￥0.945 50+:￥1.052 5+:￥1.582 |
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21+/22+
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在芯间
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NEXPERIA
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1+:￥1.0188 |
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京北通宇
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5000+:￥0.6049 2500+:￥0.6956 1190+:￥0.8486 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 11 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 309 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta），8.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-XDFN 裸露焊盘 |