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PMV65XPEAR
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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封装
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价格(含税)
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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6000+:￥0.2798 3000+:￥0.2974 500+:￥0.3403 150+:￥0.396 50+:￥0.4562 5+:￥0.5766 |
7115 |
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3000+:￥0.29 1+:￥0.328 |
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圣禾堂
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硬之城
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3000+:￥0.364 1500+:￥0.4108 200+:￥0.4732 90+:￥0.6204 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 78 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 9 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 618 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 480mW（Ta），6.25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |