厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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PMV65XP,215
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:¥0.16 1+:¥0.181 |
48603 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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PMV65XP,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:¥0.1664 1+:¥0.18824 |
39534 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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PMV65XP,215
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NEXPERIA
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SOT-23
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1000+:¥0.1755 100+:¥0.196 1+:¥0.2019 |
10098 |
2239
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现货最快4H发
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京北通宇
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PMV65XP,215
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安世(Nexperia)
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SOT-23
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30000+:¥0.2031 6000+:¥0.2193 3000+:¥0.2308 800+:¥0.3231 100+:¥0.4616 20+:¥0.7513 |
3206 |
-
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油柑网
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PMV65XP,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:¥0.24 200+:¥0.2704 120+:¥0.4186 |
42593 |
-
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3天-15天
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唯样商城
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PMV65XP,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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9000+:¥0.2483 6000+:¥0.258 3000+:¥0.2776 300+:¥0.302 100+:¥0.3345 10+:¥0.3996 |
890 |
-
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立即发货
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立创商城
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PMV65XP,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:¥0.2721 1500+:¥0.3129 1000+:¥0.3817 100+:¥0.4886 1+:¥0.645 |
15378 |
-
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3天-5天
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唯样商城
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PMV65XP,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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600+:¥0.2839 100+:¥0.3144 10+:¥0.3756 |
169 |
-
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立即发货
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华秋商城
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MOS场效应管 PMV65XP,215 M9 SOT-23(PMV65XP,215)
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:¥0.396 1000+:¥0.515 20+:¥0.594 5+:¥0.99 |
122980 |
20+/21+
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在芯间
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PMV65XP,215
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NEXPERIA
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TO-236AB
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3000+:¥0.1654 300+:¥0.1891 100+:¥0.2207 10+:¥0.2866 |
5995 |
22+
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1-3工作日
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云汉芯城
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PMV65XP,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:¥0.1664 1500+:¥0.18824 200+:¥0.21632 1+:¥0.33488 |
55105 |
--
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1-3工作日
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硬之城
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PMV65XP,215
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Nexperia(安世)
|
TO-236AB
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60000+:¥0.1727 45000+:¥0.1738 3000+:¥0.176 1500+:¥0.1991 200+:¥0.2288 1+:¥0.3542 |
55105 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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PMV65XP,215
|
nexperia
|
TO-236AB
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200+:¥0.19 100+:¥0.23 10+:¥0.29 |
426 |
2349+
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1工作日
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云汉芯城
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PMV65XP,215
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nexperia
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TO-236AB
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24000+:¥0.2079 12000+:¥0.2115 6000+:¥0.215 3000+:¥0.2186 |
240000 |
25+
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3-5工作日
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云汉芯城
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PMV65XP,215
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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1000+:¥0.239 |
9593 |
-
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6-8工作日
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云汉芯城
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PMV65XP,215
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NEXPERIA
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TO-236AB
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30+:¥0.285 10+:¥0.315 1+:¥0.363 |
61 |
2101+
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1工作日
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云汉芯城
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PMV65XP,215
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nexperia
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TO-236AB
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288000+:¥0.4081 144000+:¥0.4153 72000+:¥0.4224 36000+:¥0.4296 |
36000 |
-
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2-4周
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云汉芯城
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PMV65XP,215
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nexperia
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TO-236AB
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1000+:¥0.7437 500+:¥0.7669 250+:¥0.7898 100+:¥0.8146 50+:¥0.8397 |
850 |
-
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10-15工作日
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云汉芯城
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PMV65XP,215
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nexperia
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TO-236AB
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500+:¥0.966 100+:¥1.062 55+:¥1.176 |
8823 |
-
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14-18工作日
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云汉芯城
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属性 | 属性值 |
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FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 74 毫欧 @ 2.8A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) | 7.7 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 744 pF @ 20 V |
功率耗散(最大值) | 480mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |