PMV48XP,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.364
79,282
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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PMV48XP,215
Nexperia(安世)
TO-236AB

3000+:¥0.35

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Nexperia(安世)
SOT-23-3

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安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.385

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3000+:¥0.4375

800+:¥0.6125

100+:¥0.875

20+:¥1.4241

7703

-
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Nexperia(安世)
SOT23

3000+:¥0.455

1500+:¥0.4875

200+:¥0.5356

80+:¥0.6578

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3000+:¥0.48359

44800

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Nexperia(安世)
SOT-23

6000+:¥0.4857

3000+:¥0.517

500+:¥0.569

150+:¥0.6928

50+:¥0.7874

5+:¥1.0081

5595

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Nexperia(安世)
SOT23

3000+:¥0.7033

1500+:¥0.8087

1000+:¥0.9867

560+:¥1.2629

3000

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NEXPERIA
SOT-23

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3000+:¥0.364

1500+:¥0.38896

200+:¥0.42848

1+:¥0.62192

7844

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PMV48XP,215
Nexperia(安世)
SOT-23

2000+:¥0.2682

1000+:¥0.2801

500+:¥0.2967

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20+:¥0.3679

5+:¥0.4035

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 55 毫欧 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 11 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1000 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 510mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3