咨询/建议
PMV45EN2R
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
PMV45EN2R
|
Nexperia(安世)
|
SOT-23
|
6000+:￥0.2464 3000+:￥0.2628 500+:￥0.2957 150+:￥0.3401 50+:￥0.3954 5+:￥0.506 |
15545 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
PMV45EN2R
|
Nexperia(安世)
|
SOT-23
|
5000+:￥0.2785 2000+:￥0.2859 500+:￥0.2984 300+:￥0.3232 100+:￥0.3481 1+:￥0.373 |
2100 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
PMV45EN2R
|
Nexperia(安世)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.29 1+:￥0.328 |
30002 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
PMV45EN2R
|
Nexperia(安世)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.3016 1+:￥0.34112 |
29871 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
PMV45EN2R
|
Nexperia(安世)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.31831 |
60000 |
25+
|
1-3工作日发货
|
硬之城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 4.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 209 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 510mW（Ta），5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |