PMV40UN2R
Nexperia(安世)
SOT-23
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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Nexperia(安世)
SOT-23

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MOS场效应管 PMV40UN2R SOT-23(PMV40UN2R)
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安世(Nexperia)
SOT-23

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3000+:¥0.5145

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2-4工作日
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Nexperia(安世)
SOT23

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1500+:¥0.338

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3天-15天
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3000+:¥0.3393

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2235

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6-8工作日
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150+:¥0.449

50+:¥0.5172

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2965

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1工作日
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nexperia
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30000

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3-5工作日
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30000+:¥0.7972

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20685

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14-18工作日
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3000+:¥0.231

1+:¥0.26

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 44 毫欧 @ 3.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 12 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 635 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 490mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3