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PMPB15XP,115
Nexperia(安世)
DFN2020MD-6
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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PMPB15XP,115
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Nexperia(安世)
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DFN2020MD-6
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6000+:￥0.6117 3000+:￥0.6501 500+:￥0.714 150+:￥0.866 50+:￥0.9822 5+:￥1.2531 |
2945 |
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立创商城
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MOS场效应管 PMPB15XP,115 DFN2020MD-6(PMPB15XP,115)
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Nexperia(安世)
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DFN2020MD-6
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3000+:￥0.778 1000+:￥1.011 20+:￥1.167 1+:￥1.945 |
171025 |
20+/21+
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在芯间
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PMPB15XP,115
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Nexperia(安世)
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SOT1220
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3000+:￥0.8372 1500+:￥0.9628 1000+:￥1.1746 100+:￥1.5035 1+:￥1.9846 |
2070 |
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3天-5天
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PMPB15XP,115
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Nexperia(安世)
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DFN2020MD‑6
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3000+:￥1.48626 1000+:￥1.51386 500+:￥1.54146 100+:￥1.56768 10+:￥1.587 |
471 |
21+
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现货
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硬之城
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PMPB15XP,115
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安世(Nexperia)
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DFN2020MD-6
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30000+:￥0.6209 6000+:￥0.6703 3000+:￥0.7056 800+:￥0.9878 200+:￥1.4112 10+:￥2.2968 |
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油柑网
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PMPB15XP,115
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Nexperia(安世)
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3000+:￥0.697 1+:￥0.751 |
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圣禾堂
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3000+:￥0.72488 1+:￥0.78104 |
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22+
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硬之城
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PMPB15XP,115
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Nexperia(安世)
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SOT1220
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40+:￥1.419 |
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NEXPERIA
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SOT1220
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1+:￥1.4213 |
89 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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PMPB15XP,115
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Nexperia(安世)
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DFN2020MD‑6
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3000+:￥0.72488 1500+:￥0.78104 750+:￥0.86008 100+:￥1.03168 1+:￥1.3416 |
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1-3工作日
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1+:￥0.3104 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 100 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2875 pF @ 6 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.7W（Ta），12.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |