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PMGD280UN,115
Nexperia(安世)
TSSOP-6(SOT-363)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：870mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：340 毫欧 @ 200mA，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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PMGD280UN,115
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Nexperia(安世)
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TSSOP-6(SOT-363)
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6000+:￥0.3393 3000+:￥0.3623 500+:￥0.4084 150+:￥0.466 50+:￥0.5428 5+:￥0.6964 |
13855 |
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立即发货
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立创商城
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PMGD280UN,115
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Nexperia(安世)
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TSSOP-6
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3000+:￥0.36729 |
108000 |
25+
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1-3工作日发货
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硬之城
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PMGD280UN,115
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安世(Nexperia)
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SC-88(SOT-363)
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30000+:￥0.3729 6000+:￥0.4026 3000+:￥0.4238 800+:￥0.5933 200+:￥0.8476 10+:￥1.3795 |
1929 |
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油柑网
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MOS场效应管 PMGD280UN,115 SC-88(SOT-363)(PMGD280UN,115)
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Nexperia(安世)
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SC-88(SOT-363)
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3000+:￥1.132 1000+:￥1.471 20+:￥1.698 1+:￥2.83 |
1947 |
20+/21+
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在芯间
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PMGD280UN,115
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NEXPERIA
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6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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1+:￥1.6477 |
20 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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PMGD280UN,115
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Nexperia(安世)
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6-TSSOP
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3000+:￥0.339 1+:￥0.363 |
5 |
22+
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圣禾堂
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PMGD280UN,115
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Nexperia(安世)
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TSSOP-6
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3000+:￥0.35256 1+:￥0.37752 |
4 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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PMGD280UN,115
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Nexperia(安世)
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TSSOP-6
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3000+:￥0.35256 1500+:￥0.37752 200+:￥0.41496 1+:￥0.60216 |
5 |
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1-3工作日
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 870mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 340 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.89nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 45pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 400mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |