NX3008NBKW,115
Nexperia(安世)
SC-70
¥0.122
257,158
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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NX3008NBKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.122

1+:¥0.138

33840

25+
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NX3008NBKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.12688

1+:¥0.14352

19299

25+
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NX3008NBKW,115
Nexperia(安世)
SC-70

9000+:¥0.1283

6000+:¥0.1367

3000+:¥0.1535

300+:¥0.1762

100+:¥0.2045

10+:¥0.261

2890

-
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NX3008NBKW,115
安世(Nexperia)
SOT-323-3

30000+:¥0.1342

6000+:¥0.1449

3000+:¥0.1525

800+:¥0.2135

100+:¥0.305

20+:¥0.4964

19602

-
NX3008NBKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.13467

142977

25+
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 350mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.68 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 260mW(Ta),830mW(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323