NVTFS5116PL-HXY
华轩阳
DFN-8L(3x3)
¥0.566
21,931
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):20A,导通电阻(RDS(on)):85mΩ@4.5V,6A
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NVTFS5116PL-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
DFN-8L(3x3)

5000+:¥0.566

1+:¥0.61

4764

24+
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NVTFS5116PL-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
DFN-8L(3x3)

5000+:¥0.6498

2500+:¥0.6868

500+:¥0.8502

150+:¥0.9884

50+:¥1.0992

5+:¥1.3577

7180

-
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NVTFS5116PL-HXY
HXY(华轩阳)
DFN-8L(3x3)

2500+:¥0.671

1250+:¥0.7381

100+:¥0.8866

50+:¥1.155

4764

-
3天-15天
NVTFS5116PL-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
DFN-8L(3x3)

500+:¥0.92

150+:¥0.98

50+:¥1.42

5+:¥2.25

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NVTFS5116PL-HXY
Huaxuanyang(华轩阳)
DFN-8(3x3)

1+:¥0.67934

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规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 20A
导通电阻(RDS(on)) 85mΩ@4.5V,6A