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NTZD3154NT1G
onsemi(安森美)
SOT-563
场效应管(MOSFET)
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：540mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：550 毫欧 @ 540mA，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTZD3154NT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-563
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8000+:￥0.1551 4000+:￥0.1653 1000+:￥0.1856 300+:￥0.211 100+:￥0.2448 10+:￥0.3125 |
19130 |
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立即发货
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立创商城
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NTZD3154NT1G
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ON(安森美)
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SOT-563
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100+:￥0.1643 20+:￥0.1705 5+:￥0.1736 |
2877 |
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立即发货
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华秋商城
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NTZD3154NT1G
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ON(安森美)
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SOT-563
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4000+:￥0.16908 1000+:￥0.17222 500+:￥0.17536 100+:￥0.17835 10+:￥0.18055 |
6614 |
21+
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现货
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硬之城
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NTZD3154NT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-563
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40000+:￥0.1865 8000+:￥0.2013 4000+:￥0.2119 1000+:￥0.2967 300+:￥0.4238 10+:￥0.6897 |
120000 |
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油柑网
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NTZD3154NT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-563
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4000+:￥0.204 300+:￥0.235 100+:￥0.251 10+:￥0.284 |
7810 |
20+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 540mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |