NTZD3154NT1G
onsemi(安森美)
SOT-563
¥0.144
336,224
场效应管(MOSFET)
FET 类型:2 N-通道(双),FET 功能:标准,漏源电压(Vdss):20V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):540mA,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V
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onsemi(安森美)
SOT-563

8000+:¥0.1551

4000+:¥0.1653

1000+:¥0.1856

300+:¥0.211

100+:¥0.2448

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100+:¥0.1643

20+:¥0.1705

5+:¥0.1736

2877

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ON(安森美)
SOT-563

4000+:¥0.16908

1000+:¥0.17222

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100+:¥0.17835

10+:¥0.18055

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安森美(onsemi)
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1000+:¥0.2967

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120000

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7810

20+/21+

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 540mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 550 毫欧 @ 540mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 150pF @ 16V
功率 - 最大值 250mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666