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NTR5103NT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：260mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTR5103NT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23
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1000+:￥0.1304 100+:￥0.1421 1+:￥0.1568 |
12236 |
2315
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现货最快4H发
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京北通宇
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NTR5103NT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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6000+:￥0.1329 3000+:￥0.1489 300+:￥0.169 100+:￥0.1957 10+:￥0.2492 |
7770 |
-
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立即发货
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立创商城
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NTR5103NT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.13354 1000+:￥0.13602 500+:￥0.1385 100+:￥0.14086 10+:￥0.1426 |
123953 |
25+
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现货
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硬之城
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NTR5103NT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.19278 1000+:￥0.19636 500+:￥0.19994 100+:￥0.20334 10+:￥0.20585 |
1170 |
23+
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现货
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硬之城
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NTR5103NT1G
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onsemi(安森美)
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SOT23-3
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1000+:￥0.28 500+:￥0.33 100+:￥0.36 10+:￥0.44 |
3698 |
23+/22+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 260mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.5 欧姆 @ 240mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.81 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 300mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |