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NTR4503NT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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NTR4503NT1G
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ON(安森美)
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SOT-23,SOT-23-3(TO-236-3)
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3000+:￥0.30156 1000+:￥0.30716 500+:￥0.31276 100+:￥0.31808 10+:￥0.322 |
747392 |
22+
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现货
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硬之城
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NTR4503NT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.35 1+:￥0.374 |
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24+
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圣禾堂
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NTR4503NT1G
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ON(安森美)
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SOT-23,SOT-23-3(TO-236-3)
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3000+:￥0.364 1+:￥0.38896 |
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24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NTR4503NT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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500+:￥0.4439 150+:￥0.4984 50+:￥0.571 5+:￥0.7162 |
655 |
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立即发货
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立创商城
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NTR4503NT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3(TO-236-3)
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3000+:￥0.455 1500+:￥0.4862 200+:￥0.5356 80+:￥0.6578 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250 pF @ 24 V |
| 功率耗散（最大值） | 420mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |