NTR4502PT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.294921
688,143
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.13A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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NTR4502PT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

6000+:¥0.2949

3000+:¥0.315

500+:¥0.3995

150+:¥0.454

50+:¥0.5215

5+:¥0.6564

4220

-
立即发货
NTR4502PT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.316

1+:¥0.339

12435

2年内
立即发货
NTR4502PT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.32864

1+:¥0.35256

401

24+
1-2工作日发货
NTR4502PT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.32864

1+:¥0.35256

12411

2年内
1-2工作日发货
NTR4502PT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.33387

1000+:¥0.34007

500+:¥0.34627

100+:¥0.35216

10+:¥0.3565

669130

22+
现货
NTR4502PT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.3489

6000+:¥0.3767

3000+:¥0.3965

800+:¥0.5551

200+:¥0.793

10+:¥1.2907

2800

-
NTR4502PT1G
ON(安森美)
SOT-23

1200+:¥0.3757

600+:¥0.3795

50+:¥0.4954

5+:¥0.6236

930

-
立即发货
NTR4502PT1G
onsemi(安森美)
SOT23

500+:¥0.44

150+:¥0.48

50+:¥0.57

5+:¥0.75

2500

22+/24+
NTR4502PT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.46957

1000+:¥0.47829

500+:¥0.48701

100+:¥0.49529

10+:¥0.5014

318

22+
现货
NTR4502PT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1000+:¥0.4704

100+:¥0.4842

1+:¥0.4998

7437

2408
现货最快4H发
NTR4502PT1G
ON(安森美)
SOT-23

200+:¥0.4849

90+:¥0.594

407

-
3天-15天
NTR4502PT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.32864

1500+:¥0.35256

200+:¥0.38792

1+:¥0.5616

12545

--
1-3工作日
NTR4502PT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.335

3000+:¥0.357

500+:¥0.426

150+:¥0.4787

50+:¥0.576

5+:¥0.7063

15123

2346+
1工作日
NTR4502PT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

30000+:¥0.3529

3000+:¥0.3639

9000

22+
3-5工作日
NTR4502PT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.3658

6000+:¥0.372

3000+:¥0.3782

1+:¥0.3875

684395

22+
3-5工作日
NTR4502PT1G
onsemi
SOT-23-3,TO-236

9000+:¥0.3844

6000+:¥0.4011

3000+:¥0.4178

27000

-
3-5工作日
NTR4502PT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

12000+:¥0.565

9000+:¥0.575

6000+:¥0.59

3000+:¥0.6

72000

-
3-5工作日
NTR4502PT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

175+:¥1.472

105+:¥1.6166

35+:¥1.776

18011

-
14-18工作日
NTR4502PT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

1000+:¥1.5929

500+:¥1.6344

250+:¥1.677

100+:¥1.7203

10+:¥1.7642

5870

-
10-15工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.13A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 200 毫欧 @ 1.95A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 200 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 400mW(Tj)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3