NTR4501NT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.28002
326,083
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
NTR4501NT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.27

1+:¥0.305

44455

24+
立即发货
NTR4501NT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.28002

1000+:¥0.28522

500+:¥0.29042

100+:¥0.29536

10+:¥0.299

182657

25+
现货
NTR4501NT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.2808

1+:¥0.3172

44394

24+
1-2工作日发货
NTR4501NT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

6000+:¥0.2868

3000+:¥0.3059

500+:¥0.3441

150+:¥0.3959

50+:¥0.4603

5+:¥0.589

3720

-
立即发货
NTR4501NT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.297

6000+:¥0.3206

3000+:¥0.3375

800+:¥0.4725

200+:¥0.675

10+:¥1.0986

44415

-

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 200 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.25W(Tj)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3