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NTR4101PT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTR4101PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.285 1+:￥0.322 |
20168 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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NTR4101PT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23
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1000+:￥0.2872 100+:￥0.3009 1+:￥0.3136 |
4132 |
2335
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现货最快4H发
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京北通宇
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NTR4101PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.2964 1+:￥0.33488 |
20160 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NTR4101PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.30156 1000+:￥0.30716 500+:￥0.31276 100+:￥0.31808 10+:￥0.322 |
5729 |
25+
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现货
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硬之城
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NTR4101PT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-23
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30000+:￥0.3135 6000+:￥0.3385 3000+:￥0.3563 800+:￥0.4988 200+:￥0.7126 10+:￥1.1597 |
21708 |
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油柑网
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NTR4101PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.31771 1000+:￥0.32361 500+:￥0.32951 100+:￥0.33512 10+:￥0.33925 |
310 |
23+
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现货
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硬之城
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NTR4101PT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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6000+:￥0.3338 3000+:￥0.3523 500+:￥0.4404 150+:￥0.4868 50+:￥0.5487 5+:￥0.6725 |
7520 |
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立即发货
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立创商城
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NTR4101PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.3705 1500+:￥0.4186 200+:￥0.481 80+:￥0.6314 |
20168 |
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3天-15天
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唯样商城
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MOS场效应管/NTR4101PT1G
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onsemi(安森美)
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SOT23-3
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3000+:￥0.388 500+:￥0.465 50+:￥0.485 5+:￥0.575 |
3150 |
22+/21+
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在芯间
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NTR4101PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.2964 1500+:￥0.33488 200+:￥0.3848 1+:￥0.59696 |
26499 |
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1-3工作日
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硬之城
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NTR4101PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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5+:￥0.6456 |
5 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 8.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 675 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 420mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |