咨询/建议
NTR1P02T1G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTR1P02T1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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6000+:￥0.3067 3000+:￥0.3271 500+:￥0.368 150+:￥0.4191 50+:￥0.4873 5+:￥0.6236 |
5555 |
-
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立即发货
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立创商城
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NTR1P02T1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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100+:￥0.3659 20+:￥0.3796 5+:￥0.3865 |
100 |
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立即发货
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华秋商城
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NTR1P02T1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23-3
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1+:￥0.4949 |
347 |
2336
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现货最快4H发
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京北通宇
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NTR1P02T1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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500+:￥0.496 150+:￥0.505 50+:￥0.564 5+:￥0.671 |
3000 |
22+
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在芯间
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NTR1P02T1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.5385 1000+:￥0.5485 500+:￥0.5585 100+:￥0.568 10+:￥0.575 |
53407 |
23+
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现货
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硬之城
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NTR1P02T1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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24000+:￥0.3166 12000+:￥0.322 6000+:￥0.3329 3000+:￥0.3411 |
8400 |
24+
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3-6工作日
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云汉芯城
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NTR1P02T1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.31824 1500+:￥0.34112 200+:￥0.3744 1+:￥0.54288 |
13 |
--
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1-3工作日
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硬之城
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NTR1P02T1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23-3，TO-236
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500+:￥0.3498 150+:￥0.3985 50+:￥0.4644 5+:￥0.6017 |
518 |
24+
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1工作日
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云汉芯城
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NTR1P02T1G
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onsemi
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SOT-23-3，TO-236
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3000+:￥0.3579 2000+:￥0.3734 1000+:￥0.389 |
7000 |
-
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3-5工作日
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云汉芯城
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NTR1P02T1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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3000+:￥0.3867 1000+:￥0.3967 500+:￥0.4069 100+:￥0.5 |
5128 |
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3-6工作日
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云汉芯城
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NTR1P02T1G
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ON Semiconductor
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SOT-23-3，TO-236
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18000+:￥0.57 9000+:￥0.609 3000+:￥0.6785 100+:￥1.2 |
300000 |
22+
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5-7工作日
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云汉芯城
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NTR1P02T1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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175+:￥1.3225 105+:￥1.5222 35+:￥1.668 |
13154 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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NTR1P02T1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.306 1+:￥0.328 |
3 |
23+
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立即发货
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圣禾堂
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NTR1P02T1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.31824 1+:￥0.34112 |
2 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NTR1P02T1G
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安森美(onsemi)
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SOT-23
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30000+:￥0.3366 6000+:￥0.3634 3000+:￥0.3825 800+:￥0.5355 200+:￥0.765 10+:￥1.2451 |
3 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2.5 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 165 pF @ 5 V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |