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NTMFS5C430NLT1G
onsemi(安森美)
DFN5(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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NTMFS5C430NLT1G
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ON(安森美)
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SO-FL-8
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1500+:￥1.34 1+:￥1.41 |
108 |
2年内
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圣禾堂
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NTMFS5C430NLT1G
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ON(安森美)
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SO-8-FL
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1500+:￥1.3936 1+:￥1.4664 |
102 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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NTMFS5C430NLT1G
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安森美(onsemi)
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SO-8FL
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15000+:￥1.474 3000+:￥1.5913 1500+:￥1.675 500+:￥2.345 200+:￥3.35 10+:￥5.4521 |
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油柑网
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NTMFS5C430NLT1G
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onsemi(安森美)
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DFN5(5x6)
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1500+:￥1.66 500+:￥1.76 100+:￥2.06 30+:￥2.46 10+:￥2.78 1+:￥3.52 |
11556 |
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立创商城
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NTMFS5C430NLT1G
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ON(安森美)
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5-DFN(5x6)(8-SOFL)
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100+:￥1.793 30+:￥2.321 |
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3天-15天
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 70 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4300 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |