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NTJD5121NT1G
onsemi(安森美)
SC-88
场效应管(MOSFET)
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：295mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTJD5121NT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SC-70-6
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1000+:￥0.1398 100+:￥0.1504 1+:￥0.1611 |
17159 |
2217
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现货最快4H发
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京北通宇
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NTJD5121NT1G
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onsemi(安森美)
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SC-88
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9000+:￥0.1557 6000+:￥0.166 3000+:￥0.1863 300+:￥0.2452 100+:￥0.2806 10+:￥0.3514 |
9760 |
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立即发货
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立创商城
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NTJD5121NT1G
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ON(安森美)
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SOT-363-6
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3000+:￥0.16155 1000+:￥0.16455 500+:￥0.16755 100+:￥0.1704 10+:￥0.1725 |
12623 |
22+
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现货
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硬之城
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NTJD5121NT1G
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onsemi(安森美)
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SC70-6
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3000+:￥0.66 1000+:￥0.7 200+:￥0.973 1+:￥161.0 |
3945 |
17+/18+
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在芯间
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NTJD5121NT1G
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onsemi
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SC-70-6，SOT-363
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9000+:￥0.1392 6000+:￥0.1452 3000+:￥0.1513 |
87000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 295mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.9nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 26pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |