NTGS4111PT1G
onsemi(安森美)
SC-88
¥0.809676
8,308
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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NTGS4111PT1G
onsemi(安森美)
SC-88

6000+:¥0.8097

3000+:¥0.8647

500+:¥1.2023

150+:¥1.4368

50+:¥1.6052

5+:¥1.998

3815

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NTGS4111PT1G
ON(安森美)
TSOP-6

3000+:¥0.831

1+:¥0.876

184

22+
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NTGS4111PT1G
ON SEMICONDUCTOR
TSOP-6

1+:¥1.155

5299

2250
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NTGS4111PT1G
onsemi(安森美)
TSOP-6

100+:¥1.181

30+:¥1.391

10+:¥1.559

1+:¥1.952

4390

20+/21+
NTGS4111PT1G
ON(安森美)
TSOP-6-1.5mm

3000+:¥0.86424

1+:¥0.91104

49

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NTGS4111PT1G
ON(安森美)

40+:¥1.43

54

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3天-15天
NTGS4111PT1G
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TSOP-6-1.5mm

3000+:¥0.86424

1500+:¥0.91104

750+:¥0.96512

100+:¥1.0816

1+:¥1.352

239

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1-3工作日
NTGS4111PT1G
ON(安森美)
TSOP-6

3000+:¥0.9141

1500+:¥0.9636

750+:¥1.0208

100+:¥1.144

1+:¥1.43

239

22+
2-4工作日
NTGS4111PT1G
ON Semiconductor
TSOP-6

3000+:¥1.075

3000

22+
3-5工作日
NTGS4111PT1G
On Semiconductor/Fairchild
TSOP-6

5000+:¥1.4384

1000+:¥1.5196

10+:¥1.682

13120

21+
5-7工作日
NTGS4111PT1G
onsemi(安森美)
TSOP-6

224+:¥1.5709

222+:¥1.5846

221+:¥1.6119

220+:¥1.7075

5034

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6-8工作日
NTGS4111PT1G
安森美(onsemi)
TSOP-6-1.5mm

30000+:¥0.8883

6000+:¥0.9589

3000+:¥1.0094

800+:¥1.4132

200+:¥2.0188

10+:¥3.2856

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 3.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 32 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 750 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 630mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6