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NTF6P02T3G
onsemi(安森美)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTF6P02T3G
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ON(安森美)
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SOT-223-3
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4000+:￥1.71 1+:￥1.8 |
4543 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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NTF6P02T3G
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onsemi(安森美)
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SOT-223
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1000+:￥1.7542 500+:￥1.862 100+:￥2.1756 30+:￥2.58 10+:￥2.93 1+:￥3.65 |
5130 |
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立即发货
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立创商城
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NTF6P02T3G
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ON(安森美)
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SOT-223-3
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4000+:￥1.7784 1+:￥1.872 |
4240 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NTF6P02T3G
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ON(安森美)
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SOT-223-4
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4000+:￥1.881 2000+:￥1.98 1000+:￥2.101 100+:￥2.354 20+:￥2.937 |
4543 |
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3天-15天
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唯样商城
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NTF6P02T3G
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ON(安森美)
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SOT-223
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52000+:￥1.925 24000+:￥1.947 4000+:￥1.969 2000+:￥2.068 1000+:￥2.189 100+:￥2.453 1+:￥3.058 |
4597 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200 pF @ 16 V |
| 功率耗散（最大值） | 8.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |